詳細(xì)資料：
富士IPM模塊7MBP75RA120
日本FUJI富士智能IGBT功率模塊7MBP75RA120
富士7單元IPM功率模塊7MBP75RA120
1200V 75A 大功率IPM模塊7MBP75RA120
北京京誠宏泰科技有限公司專業(yè)銷售7MBP75RA120
7MBP75RA120內(nèi)置6單元IGBT+剎車電路
中央變頻空調(diào)常用變頻模塊7MBP75RA120
富士大功率IPM模塊；富士6單元IPM模塊；富士7單元IPM模塊；富士600V IPM模塊；富士1200V IPM 模塊
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成，其中IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個IGBT）。
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