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北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT斬波模塊CM150E3Y-12E

日本Mitsubishi三菱IGBT斬波功率模塊CM150E3Y-12E

IGBT斬波模塊CM150E3Y-12E

CM150E3Y-12E技術(shù)參數(shù)：vces=600v ；IC=150A

各*變頻器IGBT斬波制動(dòng)模塊CM150E3Y-12E

CM150E3Y-12E用中的注意事項(xiàng)
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：
在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極zui大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

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• 三菱IGBT模塊，1單元IGBT,2半橋IGBT
• 三菱IPM智能功率模塊
• 三菱快恢復(fù)二極管
• 三菱可控硅
• 三菱整流橋

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CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H 
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF 
CM200DU-12H CM200DUS-12F 
CM600DU-5F
CM300DJB-060 CM300DY-12H 
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
 CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF 
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
CM800DU-12H
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H 
CM400DU-12H CM400DY1-12E 

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  斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。    IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET(場效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有：驅(qū)動(dòng)功率小，通態(tài)壓降低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源等電力電子領(lǐng)域。    就全控性能而言，IGBT是斬波應(yīng)用的器件，而且技術(shù)極為簡單，幾乎IGBT器件本身就構(gòu)成了斬波電路。但是要把IGBT斬波形成產(chǎn)品，問題就沒有那么簡單，特別是大功率斬波，如果不面對現(xiàn)實(shí)，認(rèn)真研究、發(fā)現(xiàn)和解決存在的問題，必將事與愿違，斬波設(shè)備的可靠性將遭受嚴(yán)重的破壞。不知道是出于技術(shù)認(rèn)識(shí)問題還是商務(wù)目的，近來發(fā)現(xiàn)，某些企業(yè)對IGBT晶體管倍加推崇，而對晶閘管全面否定，顯然，這是不科學(xué)的。

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　　● 應(yīng)用。需要根據(jù)一些特殊應(yīng)用調(diào)整產(chǎn)品。例如電動(dòng)汽車IGBT與一般工業(yè)用的IGBT在技術(shù)工藝性能上的主要區(qū)別在生產(chǎn)工序，因?yàn)槭擒囕d產(chǎn)品，需要實(shí)現(xiàn)超高品質(zhì)車載級(jí)模塊。在IGBT加工工序的開始，每個(gè)生產(chǎn)工序都需要管理，對生產(chǎn)過程進(jìn)行精細(xì)控制，產(chǎn)品出貨時(shí)要有檔案管理。如果有一個(gè)產(chǎn)品出問題，馬上可以查到數(shù)據(jù)。目前，日系混合動(dòng)力車基本上使用三菱電機(jī)的模塊。

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1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3   1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3   1700V----600A
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1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A
SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
SKiiP 1814 GB17E4-3DUL
SKiiP 1813 GB123-3DW
SKiiP 1814 GB17E4-3DUW
SKiiP 1803 GB172-3DUW
SKiiP 1813 GB123-3DUFL
SKiiP 1814 GB12E4-3DUL
SKiiP 1813 GB123-3DUL
1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3

 IXYS的HiPerMOSFET，由于內(nèi)置了恢復(fù)速度快，恢復(fù)特性良好的二極管，無論在動(dòng)態(tài)和靜態(tài)狀態(tài)下，dv/dt的特性都得以提高，從而使HiPerFET在更惡劣的條件下也能安全工作，因此，它適合在各種感性負(fù)載作為開關(guān)器件。

    其中的Q-classMOSFET，在此基礎(chǔ)上采用了新的芯片技術(shù)，減少了門極充電電量Qg和米勒電容Crss，因而大大的提高了器件的開關(guān)效率和頻率。

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京誠宏泰科技銷售英飛凌IGBT模塊

產(chǎn)品型號(hào) 參數(shù)說明 封裝形式
FF200R06KE3 200A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V 原裝
FF300R06KE3 300A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V 原裝
FF400R06KE3 400A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V 原裝
FF200R06ME3 200A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V，平板螺栓型 原裝
FF300R06ME3 300A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V，平板螺栓型 原裝
FF400R06ME3 400A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V，平板螺栓型 原裝
FF50R12RT4 50A,1200V,IGBT4,螺栓型 原裝
FF75R12RT4 75A,1200V,IGBT4,螺栓型 原裝
FF100R12RT4 100A,1200V,IGBT4,鏍栓型 原裝
FF150R12RT4 150A,1200V,IGBT4,鏍栓型 原裝
FF1000R17IE4D_B2 
FF650R17IE4D_B2 
FF450R17ME3 
FF225R17ME4 
FF450R12ME3 
FF300R12ME3
FF225R12ME4 
FF600R06ME3 
FF200R17KE4 200A,1700V 原裝
FF300R17KE4 300A,1700V 原裝
FF150R17KE4 150A,1700V 原裝
FF600R12ME4 600V,1200V 原裝

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京誠宏泰科技銷售富士IGBT模塊

1MBI75L-060、1MBI100L-060、1MBI150L-060、
1MBI300F-060、1MBI400F-060、1MBI600LN-060、1MBI600NN-060、1MBI200L-060、1MBI300L-060、1MBI400L-060、1MBI600LP-060、1MBI600NP-060、1MBI150NH-060、1MBI200L-120、1MBI200F-120、1MBI300L-120、1MBI300S-120、1MBI300NN-120、1MBI200S-120B、1MBI200N-120、1MBI300S-120B、1MBI300N-120、1MBI300JN-120、1MBI300JN-140、1MBI300SA-120、1MBI400N-120、1MBI400JN-120、1MBI400JN-140、1MBI400SX-140、1MBI600LP-120、1MBI600PX-140、1MBI400L-120、1MBI400S-120、1MBI400NN-120、1MBI400NP-120、1MBI600LN-120、1MBI600PX-120

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京誠宏泰科技銷售三菱IGBT模塊

CM50DY-12H CM75DY-12H 
CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H 
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF 
CM200DU-12H CM200DUS-12F 
CM300DJB-060 CM300DY-12H 
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
 CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF 
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
CM800DU-12H   CM600DU-5F
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H 
CM400DU-12H CM400DY1-12E 

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6SY7000-0AA30 6SY7000-0AB30 6SY7000-0AC30
6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31
6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32
6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33
6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34
6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35
6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36
6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37
6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38
6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39
6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40
6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41
6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42
6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43
6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44
6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45
6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46
6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47
6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48
6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49
6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50

BSM200GA120DN2 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U 
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U 
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DLC 400A/1200V/1U  
型號(hào)2U/600/1200/1700V ） 技術(shù)指標(biāo) 型號(hào)(2U  1200V/1700V) 技術(shù)指標(biāo) 
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U 
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U 
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U 
BSM100GB170DN2 100A/1700V/2U 
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U 
BSM150GB170DN2 150A/1700V/2U 
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB170DLC 200A/1700V/2U 
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U 
BSM25GAL120DN2 25A/1200V/2U 
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U 
BSM50GAL120DN2 50A/1200V/2U 
BSM25GB120DN2 25A/1200V/2U 
BSM75GAL120DN2 75A/1200V/2U 
BSM35GB120DN2 35A/1200V/2U 
BSM100GAL120DN2 100A/1200V/2U 
BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U