產(chǎn)品展示
TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40
| 型 號(hào)： | MG200Q2YS40 |
| 報(bào) 價(jià)： | 999 |
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
TOSHIBA東芝200A1200V IGBT模塊MG200Q2YS40
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
High input impedance
High speed : tf = 0.5µs (max)
trr = 0.5µs (max)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case
| 日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列： | |||
| MG25J2YS9 | MG50J2YS9 | MG75J2YS9 | MG100J2YS9 |
| MG25J2YS91 | MG50J2YS91 | MG75J2YS91 | MG100J2YS91 |
| MG150J2YS2 | MG200J2YS2 | MG75J2YS45 | MG100J2YS45 |
| MG150J2YS21 | MG200J2YS21 | MG300J2YS91 | MG300J2YS9 |
| MG150J2YS45 | MG200J2YS45 | MG300J2YS45 | |
| 日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元1200V系列： | |||
| MG15Q2YS9 | MG25N2YS40 | MG25Q2YS9 | MG75Q2YS1 |
| MG100Q2YS1 | MG100Q2YS9 | MG25Q2YS91 | MG75Q2YS11 |
| MG100Q2YS11 | MG100Q2YS91 | MG150Q2YS9 | MG150Q2YS11 |
| MG150Q2YS91 | MG200Q2YS9 | MG200Q2YS11 | MG200Q2YS91 |
