產(chǎn)品展示
英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3
| 型 號(hào)： | FZ1500R33HE3 |
| 報(bào) 價(jià)： | 9999 |
3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
IHM-B module with fast Trench/Field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode
VCES= 3300V ，IC nom= 1500A / ICRM= 3000A
產(chǎn)品特點(diǎn): 高直流穩(wěn)定；高短路能力；自我限制短路電流；低開關(guān)損耗；的魯棒性；T(vj op)= 150°C；用正溫度系數(shù)低V(cesat)；AlSiC底板增加熱循環(huán)能力；包與CTI > 400；孤立的基板
| FZ200R12KF2 | FZ200R65KF1 | FZ400R65KF1 | FZ400R17KE3 |
| FZ300R12KF2 | FZ400R12KF2 | FZ400R12KS4 | FZ400R12KE3 |
| FZ500R12KL4C | FZ600R12KE3 | FZ600R17KE3 | FZ800R12KE3 |
| FZ600R12KS4 | FZ800R12KF4 | FZ800R16KF4 | FZ800R33KF1 |
| FZ900R12KF5 | FZ900R16KF1 | FZ1000R12KF4 | FZ1000R12KF5 |
| FZ1000R25KF1 | FZ1050R12KF4 | FZ1200R12KF4 | FZ1200R12KF5 |
| FZ1200R12KL4C | FZ1200R16KF4 | FZ1200R25KF1 | FZ1200R33KF1 |
| FZ800R12KS4 | FZ800R33KF2 | FZ1200R25KF4 | FZ1200R33KF2 |
| FZ1200R33KF1 | FZ1600R12KF4 | FZ1600R17KF6C | FZ1800R12KF4 |
| FZ1500R25KF1 | FZ1800R16KF4 | FZ2400R12KF4 | FZ2400R17KF6B |
| FZ3600R12KE3 | FZ3600R17KE3 | FZ600R65KF1 | FZ1200R12KE3 |
| FZ1600R12KE3 | FZ2400R12KE3 | FZ2400R12KL4C | FZ1600R12KL4C |
